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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STW22N95K5
STW22N95K5

ST STW22N95K5

N 通道950 V17.5A（Tc）5V @ 100µA250W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔

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STMicroelectronics
STW22N95K5
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
STW22N95K5 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

Tube Package


Extremely good RDS(on) at very high BVDSS

High switching speed

800-1700 V BVDSS rated

AEC-Q101 qualified

100% avalanche tested

Zener-protected

Ultra-low gate charge

High efficiency with lower design complexity

Especially targeted for flyback LED driver topologies



Through Hole Mounting Type

Applications


Metering

Weldings

Flat-panel televisions

LED Drivers

HID Ballasts

Solar Inverters

Factory automation

产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, SuperMESH5™
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.5A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 330 毫欧 @ 9A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 100µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1550 pF @ 100 V
最大功率耗散: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
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STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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