ST STW15N95K5
N 通道950 V12A（Tc）5V @ 100µA170W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较STW15N95K5
MOSFET N-CH 950V 12A TO247
￥13.50
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using SuperMESH 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency.
Features
SuperMESH5™ SeriesTO-220 worldwide best RDS(on)
Worldwide best FOM (figure of merit)
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener-protected
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: SuperMESH5™
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 500 毫欧 @ 6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 100µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 900 pF @ 100 V
最大功率耗散: 170W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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