ST STP11NM80
N 通道800 V11A（Tc）5V @ 250µA150W（Tc）-65°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较STP11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
￥13.00
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Features
MDmesh™ SeriesHigh dv/dt
Low input capacitance
Low gate charge
Low gate input resistance
Available in the TO-220 package
Applications
Switching applications
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: MDmesh™
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 400 毫欧 @ 5.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1630 pF @ 25 V
最大功率耗散: 150W（Tc）
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
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制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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