ST STN4NF20L
N 通道200 V1A（Tc）3V @ 250µA3.3W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较STN4NF20L
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
￥0.74
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-channel 200 V realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters.
1. 100% avalanche tested 2. Low gate charge 3. Exceptional dv/dt capability
Features
STripFET™ II Series100% avalanche tested
Low gate charge
Exceptional dv/dt capability
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Switching applications
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: STripFET™ II
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.5 欧姆 @ 500mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 150 pF @ 25 V
最大功率耗散: 3.3W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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