ST STL33N60M2
N 通道600 V22A（Tc）4V @ 250µA190W（Tc）150°C（TJ）表面贴装型
比较STL33N60M2
MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
￥43.60
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
MDmesh™ II Plus Series
? Extremely low gate charge
? Excellent output capacitance (COSS) profile
? 100% avalanche tested
? Zener-protected
PowerFlat™ (8x8) HV Supplier Device Package
Applications
? Switching applications
? LLC converters, resonant converters
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: MDmesh™ II Plus
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 135 毫欧 @ 10.75A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1700 pF @ 100 V
最大功率耗散: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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