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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STL30P3LLH6
STL30P3LLH6

ST STL30P3LLH6

P 通道30 V30A（Tc）1V @ 250µA（最小）75W（Tc）175°C（TJ）表面贴装型

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STMicroelectronics
STL30P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
STL30P3LLH6 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET DeepGATE technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

Features

DeepGATE™, STripFET™ VI Series


  • Very low on-resistance

  • Very low gate charge

  • High avalanche ruggedness

  • Low gate drive power loss

  • Drain-source voltage: 30v



PowerFlat™ (5x6) Supplier Device Package

Applications


  • Rotary Switch

  • DIP Switch

  • Limit Switch

  • Reed Switch

  • Rocker Switch

  • Toggle Switch


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产品属性
全选
型号系列: DeepGATE™, STripFET™ VI
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 30 毫欧 @ 4.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA（最小）
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1450 pF @ 25 V
最大功率耗散: 75W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
相似零件：0
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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