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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STL21N65M5
STL21N65M5

ST STL21N65M5

N 通道650 V17A（Tc）5V @ 250µA3W（Ta），125W（Tc）150°C（TJ）表面贴装型

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STMicroelectronics
STL21N65M5
MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
STL21N65M5 数据表(pdf)
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￥15.90

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This device is an N-channel MDmesh V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

MDmesh™ V Series


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

  • ROHS3 Compliant

  • Lead Free

  • No Radiation Hardening



PowerFlat™ (8x8) HV Supplier Device Package

Applications


  • Switching applications

  • New Energy Vehicle

  • Photovoltaic Generation

  • Wind Power Generation

  • Smart Grid


产品属性
全选
型号系列: MDmesh™ V
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 179 毫欧 @ 8.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±25V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1950 pF @ 100 V
最大功率耗散: 3W（Ta），125W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳: 8-PowerVDFN
相似零件：0
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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