ST STL115N10F7AG
N 通道100 V107A（Tc）4.5V @ 250µA136W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装，可润湿侧翼
比较STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
￥8.93
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
Features
Tape & Reel (TR) PackageAEC-Q101 qualified
Among the lowest RDS(on) on the market
Excellent FoM (figure of merit)
Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
High avalanche ruggedness
Applications
LV Motor Control
Automotive
Solar Inverters
Computing Systems
Telecoms
Switching
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 6 毫欧 @ 53A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 5600 pF @ 50 V
最大功率耗散: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装: PowerFlat™（5x6）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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