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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STF45N10F7
STF45N10F7

ST STF45N10F7

N 通道100 V30A（Tc）4.5V @ 250µA25W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔

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STMicroelectronics
STF45N10F7
MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP
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￥2.02

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Features

DeepGATE™, STripFET™ VII Series

  • Ultra-low on-resistance

  • 100% avalanche tested

  • Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W

  • Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V

  • Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

  • Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V

  • Maximum Drain Current |Id|: 30 A

  • Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

  • Total Gate Charge (Qg): 25 nC

  • Rise Time (tr): 17 nS

  • Drain-Source Capacitance (Cd): 360 pF

  • Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.018 Ohm

  • Package: TO-220FP


Through Hole Mounting Type

Applications

  • Switching applications

  • Audio Amplifier Stages

  • Switching load of up to -10A

  • High voltage applications (Up to 140V)


产品属性
全选
型号系列: DeepGATE™, STripFET™ VII
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 18 毫欧 @ 15A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
最大栅极源电压: 20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1640 pF @ 50 V
最大功率耗散: 25W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
相似零件：0
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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