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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
STB9NK80Z
STB9NK80Z

ST STB9NK80Z

N 通道800 V5.2A（Tc）4.5V @ 100µA125W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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STMicroelectronics
STB9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This high-voltage device is a Zener-protected N-channel Power MOSFET developed using the SuperMESH technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • AEC-Q101 qualified

  • 100% avalanche tested

  • Gate charge minimized

  • Very low intrinsic capacitance

  • Zener-protected



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • Rotary Switch

  • DIP Switch

  • Limit Switch

  • Reed Switch

  • Rocker Switch


产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 100µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1138 pF @ 25 V
最大功率耗散: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相似零件：0
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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