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STB7NK80ZT4

ST STB7NK80ZT4

N 通道800 V5.2A(Tc)4.5V @ 100µA125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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STB7NK80ZT4
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

STB7NK40Z with pin details manufactured by ST. The STB7NK40Z is available in SOT-263 Package, is part of the IC Chips.

The STB7NK80Z-1 is "MOSFET N-Ch manufactured by ST. The STB7NK80Z-1 is available in I2PAK Package, is part of the Transistors - FETs, MOSFETs - Single, , and with support for "MOSFET N-Ch, N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK, Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube, MOSFET N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A.

Features

SuperMESH™ Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
800 V Drain to Source Voltage (Vdss)
5.2A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8Ohm @ 2.6A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5V @ 100µA Vgs(th) (Max) @ Id
56 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
1138 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
产品属性
全选
型号系列: SuperMESH™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 100µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1138 pF @ 25 V
最大功率耗散: 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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