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STB76NF75

ST STB76NF75

N 通道75 V80A(Tc)4V @ 250µA300W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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STB76NF75
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique \"single feature size\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Features

STripFET™ II Series
the avalanche energy rating (Eas) is 700 mJ
a continuous drain current (ID) of 80A
a drain-to-source breakdown voltage of 75V voltage
the turn-off delay time is 66 ns

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
STB76NF75 applications of single MOSFETs transistors.

  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
产品属性
全选
型号系列: STripFET™ II
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 11 毫欧 @ 40A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3700 pF @ 25 V
最大功率耗散: 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

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