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FDMQ86530L

ON FDMQ86530L

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门4 N 沟道(半桥)60V8A17.5 毫欧 @ 8A,10V3V @ 250µA

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FDMQ86530L
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

N-Channel PowerTrench® MOSFET, GreenBridge™ Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers 60V, 8A, 17.5mΩ

Features

GreenBridge™ PowerTrench® Series

 

Max rDS(on) = 17.5 m|? at VGS = 10 V, ID = 8 A

Max rDS(on) = 23 m|? at VGS = 6 V, ID = 7 A

Max rDS(on) = 25 m|? at VGS = 4.5 V, ID = 6.5 A

Substantial efficiency benefit in PD solutions

RoHS Compliant

 

Surface Mount Mounting Type

Applications


Central Office

 




产品属性
全选
型号系列: GreenBridge™ PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 4 N 沟道(半桥)
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 17.5 毫欧 @ 8A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2295pF @ 30V
最大功率: 1.9W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 12-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 12-MLP(5x4.5)
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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