Fairchild FDME820NZT
N 通道20 V9A（Ta）1V @ 250µA2.1W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较FDME820NZT
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
￥2.61
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This Single N-Channel MOSFET has been designed using an advanced Power Trench process to optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.8 V on special MicroFET leadframe.
Features
PowerTrench® SeriesRoHS Compliant
HBM ESD protection level >2.5 kV
Available in the MicroFET 1.6x1.6 Thin package
Free from halogenated compounds and antimony oxides
Applications
Load switch
Baseband switch
DC-DC conversion
Li-lon battery pack
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏极至源极电压 (Vdss): 20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 9A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 1.8V，4.5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 18 毫欧 @ 9A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±12V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 865 pF @ 10 V
最大功率耗散: 2.1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商 设备封装: MicroFet 1.6x1.6 薄型
包装 / 盒: 6-PowerUFDFN
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司，成立于1957年，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案，2016年被ON Semiconductor收购。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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