Microsemi APT6030BN
N 通道600 V23A（Tc）4V @ 1mA360W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较APT6030BN
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
￥33.25
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
POWER MOS IV® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
600 V Drain to Source Voltage (Vdss)
23A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
300mOhm @ 11.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
210 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
3500 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS IV®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 300 毫欧 @ 11.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3500 pF @ 25 V
最大功率耗散: 360W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD
封装/外壳: TO-247-3
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司，专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年，总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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