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APT10025JVR

Microsemi APT10025JVR

N 通道1000 V34A(Tc)4V @ 5mA底座安装

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APT10025JVR
MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

• Faster Switching• Lower Leakage• 100% Avalanche Tested• Popular SOT-227 Package

Features

POWER MOS V® Series
a continuous drain current (ID) of 34A
the turn-off delay time is 97 ns
a 1000V drain to source voltage (Vdss)

ISOTOP® Supplier Device Package

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT10025JVR applications of single MOSFETs transistors.

  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS V®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 250 毫欧 @ 500mA,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 5mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 990 nC @ 10 V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 18000 pF @ 25 V
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: ISOTOP®
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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