联系我们
中文
APT1001RBVRG

Microsemi APT1001RBVRG

N 通道1000 V11A(Tc)4V @ 1mA通孔

比较
APT1001RBVRG
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥86.40

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Features

POWER MOS V® Series
a continuous drain current (ID) of 11A
the turn-off delay time is 55 ns
a 1000V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT1001RBVRG applications of single MOSFETs transistors.

  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
  • PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
  • PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
  • Lighting, Server, Telecom and UPS.
  • DC-to-DC converters
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS V®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1 欧姆 @ 500mA,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3660 pF @ 25 V
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 [B]
封装/外壳: TO-247-3
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z