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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
APT1001RBN
APT1001RBN

Microchip APT1001RBN

N 通道1000 V11A（Tc）4V @ 1mA310W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔

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Microchip Technology
APT1001RBN
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
APT1001RBN 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

POWER MOS IV® Series
a continuous drain current (ID) of 11A
based on its rated peak drain current 44A.
a 1000V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT1001RBN applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS IV®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1 欧姆 @ 5.5A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2950 pF @ 25 V
最大功率耗散: 310W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD
封装/外壳: TO-247-3
相似零件：0
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology是一家全球领先的半导体供应商，成立于1989年，总部位于美国亚利桑那州钱德勒。公司专注于提供微控制器、混合信号、模拟和闪存IP解决方案，服务于广泛的嵌入式控制应用市场。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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