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APT5025BN

Microsemi APT5025BN

N 通道500 V23A(Tc)4V @ 1mA310W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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APT5025BN
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

APT5024SVR with pin details manufactured by APT. The APT5024SVR is available in D3PAK Package, is part of the IC Chips.

APT5025AN with circuit diagram manufactured by APT. The APT5025AN is available in TO-3 Package, is part of the IC Chips.

Features

POWER MOS IV® Series
based on its rated peak drain current 92A.
a 500V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT5025BN applications of single MOSFETs transistors.

  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS IV®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 250 毫欧 @ 11.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2950 pF @ 25 V
最大功率耗散: 310W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD
封装/外壳: TO-247-3
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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