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APT5020BN

Microsemi APT5020BN

N 通道500 V28A(Tc)4V @ 1mA360W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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APT5020BN
MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

POWER MOS IV® Series
based on its rated peak drain current 112A.
a 500V drain to source voltage (Vdss)

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
APT5020BN applications of single MOSFETs transistors.

  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
  • PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS IV®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 14A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3500 pF @ 25 V
最大功率耗散: 360W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD
封装/外壳: TO-247-3
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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