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APT12040JVR

Microchip APT12040JVR

N 通道1200 V26A(Tc)4V @ 5mA700W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装

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APT12040JVR
MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

APT1201R6SVFR with pin details manufactured by APT. The APT1201R6SVFR is available in D3PAK Package, is part of the IC Chips.

APT12031JFLL with circuit diagram manufactured by APT. The APT12031JFLL is available in MODULE Package, is part of the Module, N-Channel 1200V 30A (Tc) 690AW (Tc) Chassis Mount ISOTOP?, Trans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227.

Features

POWER MOS V® Series
Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
1200 V Drain to Source Voltage (Vdss)
26A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
400mOhm @ 13A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 5mA Vgs(th) (Max) @ Id
1200 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
18000 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700W (Tc) Power Dissipation (Max)
Chassis Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS V®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 400 毫欧 @ 13A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 5mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 1200 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 18000 pF @ 25 V
最大功率耗散: 700W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227(ISOTOP®)
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
Microchip Technology

Microchip Technology

Microchip Technology是一家全球领先的半导体供应商,成立于1989年,总部位于美国亚利桑那州钱德勒。公司专注于提供微控制器、混合信号、模拟和闪存IP解决方案,服务于广泛的嵌入式控制应用市场。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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