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JANTX2N7236U

Infineon JANTX2N7236U

P 通道100 V18A(Tc)4V @ 250µA4W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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JANTX2N7236U
MOSFET P-CH 100V 18A TO267AB
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

JANTX2N7225U with pin details manufactured by MICROSE. The JANTX2N7225U is available in SMD Package, is part of the IC Chips, N-Channel 200V 27.4A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-267AB, Trans MOSFET N-CH 200V 27.4A 3-Pin SMD-1.

JANTX2N7236 with circuit diagram manufactured by IR. The JANTX2N7236 is available in IC Package, is part of the IC Chips, P-Channel 100V 18A (Tc) 4W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-254AA, Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA.

Features

Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
18A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
220mOhm @ 18A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
60 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
4W (Ta), 125W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: Military, MIL-PRF-19500/595
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 220 毫欧 @ 18A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
最大功率耗散: 4W(Ta),125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-267AB
封装/外壳: TO-267AB
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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