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IRS2186STRPBF

Infineon IRS2186STRPBF

高压侧或低压侧210V ~ 20V

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IRS2186STRPBF
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

600 V High and Low Side Driver IC with typical 4 A source and 4 A sink current of 4 A in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • Embedded in the Cut Tape (CT) package

  • 2 drivers

  • Employing a gate type of IGBT, N-Channel MOSFET

  • 8 pins

  • High-side voltage - Max (Bootstrap) of 600V

  • Maximum power dissipation of 625mW



Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Infineon Technologies IRS2186STRPBF gate drivers applications.

  • Smart Phones

  • Refrigerator

  • Driving GaN Power Transistors used in Full or Half?Bridge, LLC,

  • Portable computers

  • High power buffers

  • Dual-Battery Systems

  • High frequency line drivers

  • UPS systems

  • Motor Drives

  • A/D drivers

产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
可编程: 未验证
驱动配置: 高压侧或低压侧
通道类型: 独立式
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电源电压: 10V ~ 20V
逻辑低电平和高电平的电压电平: 0.8V,2.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 4A,4A
输入类型: 非反相
最大高压侧电压(自启动): 600 V
上升/下降时间(典型值): 22ns,18ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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