Infineon IRLS4030TRL7PP
N 通道100 V190A（Tc）2.5V @ 250µA370W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较IRLS4030TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
￥17.28
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
HEXFET® Seriesthe avalanche energy rating (Eas) is 320 mJ
a continuous drain current (ID) of 190A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 110 ns
a threshold voltage of 2.5V
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
IRLS4030TRL7PP applications of single MOSFETs transistors.
- Consumer Appliances
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
运输
包装
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产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3.9 毫欧 @ 110A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±16V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 11490 pF @ 50 V
最大功率耗散: 370W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK（7-Lead）
封装/外壳: TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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