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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
IRLR9343PBF
IRLR9343PBF

Infineon IRLR9343PBF

P 通道55 V20A（Tc）1V @ 250µA79W（Tc）-40°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
IRLR9343PBF
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
IRLR9343PBF 数据表(pdf)
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￥2.79

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

VDS -55 VRDS(ON) typ. @ VGS = -10V 93 mΩRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V 150 mΩQg typ. 31 nCTJ max 175 °C

● Advanced Process Technology● Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications● Low RDSON for Improved Efficiency● Low Qg and Qsw for Better THD and Improved Efficiency● Low Qrr for Better THD and Lower EMI● 175°C Operating Junction Temperature for Ruggedness● Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability● Multiple Package Options

Features

HEXFET® Series

  • Planar cell structure for wide SOA

  • Industry-standard surface mount package

  • Optimized for broadest availability from distribution partners

  • Product qualification according to JEDEC standard

  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz


Surface Mount Mounting Type

Applications

  • DC/DC converter

  • Power management

  • Load switch


产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 管件
部件状态: 停止提供
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 105 毫欧 @ 3.4A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 660 pF @ 50 V
最大功率耗散: 79W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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