联系我们
中文
IRFS4310ZPBF

Infineon IRFS4310ZPBF

N 通道100 V120A(Tc)4V @ 150µA250W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

比较
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥5.88

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.

A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

Features

HEXFET® Series
  • Capable of being wave-soldered

  • Optimized for broadest availability from distribution partners

  • Product qualification according to JEDEC standards

  • Average level: Optimized for 10V gate drive voltage

  • Industry-standard surface-mount power package

  • High-current carrying capability package (up to 195A, die-size dependent)


D2PAK Supplier Device Package

Applications

  • Uninterruptible Power Supply

  • High-Speed Power Switching

  • High-Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

  • Hard Switched and High-Frequency Circuits


产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 管件
部件状态: 停止提供
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 6 毫欧 @ 75A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 150µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 6860 pF @ 50 V
最大功率耗散: 250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z