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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
IRFM460
IRFM460

Infineon IRFM460

N 通道500 V19A（Tc）4V @ 250µA250W（Tc）通孔

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Infineon Technologies
IRFM460
MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA
IRFM460 数据表(pdf)
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￥705.00

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The IRFM360 is Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA manufactured by IR. The IRFM360 is available in IC Package, is part of the IC Chips, , and with support for Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA.

The IRFM450 is Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA manufactured by IR. The IRFM450 is available in P Package, is part of the IC Chips, , and with support for Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA.

Features

HEXFET® Series


  • Simple Drive Requirements

  • Ease of Paralleling

  • Hermetically Sealed

  • Electrically Isolated

  • Dynamic dv/dt Rating



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 袋
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 270 毫欧 @ 12A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4300 pF @ 25 V
最大功率耗散: 250W（Tc）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-254AA
封装/外壳: TO-254-3，TO-254AA（直引线）
相似零件：0
Infineon Technologies

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Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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