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IRF840PBF

Infineon IRF840PBF

N 通道500 V8A(Tc)4V @ 250µA125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

IRF840NSTRLPBF with pin details manufactured by IR. The IRF840NSTRLPBF is available in TO-263 Package, is part of the IC Chips.

The IRF840PB is MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB manufactured by VISHAY. The IRF840PB is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB.

Features

HEXFET® Series
a continuous drain current (ID) of 8A
a drain-to-source breakdown voltage of 500V voltage
the turn-off delay time is 49 ns
a threshold voltage of 4V

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Vishay Siliconix
IRF840PBF applications of single MOSFETs transistors.

  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 850 毫欧 @ 4.8A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1300 pF @ 25 V
最大功率耗散: 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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