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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
IRF8301MTRPBF
IRF8301MTRPBF

Infineon IRF8301MTRPBF

N 通道30 V34A（Ta），192A（Tc）2.35V @ 150µA2.8W（Ta），89W（Tc）-40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
IRF8301MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
IRF8301MTRPBF 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Features

HEXFET® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
34A (Ta), 192A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5mOhm @ 32A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.35V @ 150µA Vgs(th) (Max) @ Id
77 nC @ 4.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
6140 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.8W (Ta), 89W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
DIRECTFET™ MT Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric MT Package / Case
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A（Ta），192A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.5 毫欧 @ 32A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.35V @ 150µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 6140 pF @ 15 V
最大功率耗散: 2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DIRECTFET™ MT
封装/外壳: DirectFET™ 等容 MT
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Infineon Technologies

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Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

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配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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