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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
IRF7526D1
IRF7526D1

Infineon IRF7526D1

P 通道30 V2A（Ta）1V @ 250µA1.25W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
IRF7526D1
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
IRF7526D1 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Power MOSFET transistor with high current handling capability and low on-resistance.

High current handling capability

Features

FETKY™ Series


  • Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode

  • P-Channel HEXFET

  • Low VF Schottky Rectifier

  • Generation 5 Technology

  • Micro8TM Footprint



Micro8™ Supplier Device Package

Applications


  • cell phone

  • PDA

  • Home theater & entertainment

  • Connected peripherals & printers

  • Data storage


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Infineon Technologies

MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8

￥1.78比较
产品属性
全选
型号系列: FETKY™
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 1.2A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 180 pF @ 25 V
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
最大功率耗散: 1.25W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro8™
封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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