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IRF7503TRPBF

Infineon IRF7503TRPBF

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)30V2.4A135 毫欧 @ 1.7A,10V1V @ 250µA

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IRF7503TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.

Features

HEXFET® Series


? Technology Generation No Logic


? Lowest On-Resistance Ever


? MOSFETs with two N-channels.


? Small SOIC Packages


? Small Profile (1.1mm)


? Available on reel-to-reel tape


? Quick Switching


? Lead-Free



Micro8™ Supplier Device Package

Applications


Switching applications


产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 135 毫欧 @ 1.7A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 210pF @ 25V
最大功率: 1.25W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商器件封装: Micro8™
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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