Infineon IRF7492TRPBF
N 通道200 V3.7A（Ta）2.5V @ 250µA2.5W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较IRF7492TRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
￥1.90
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Benefits● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications● High frequency DC-DC converters
Features
HEXFET® SeriesLow RDS (on)
Low gate to drain charge
Low switching losses
Fully characterized capacitance
Fully characterized avalanche voltage and current
Applications
High-frequency DC?DC converters
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 79 毫欧 @ 2.2A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1820 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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