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IR2184S

Infineon IR2184S

半桥210V ~ 20V

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IR2184S
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The IR2184(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels.

The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.

Features

Tube Package
  • Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune

  • Gate drive supply range from 10 to 20V

  • Undervoltage lockout for both channels

  • 3.3V and 5V input logic compatible

  • Matched propagation delay for both channels

  • Logic and power ground +/- 5V offset.

  • Lower di/dt gate driver for better noise immunity

  • Output source/sink current capability 1.4A/1.8A

  • Also available LEAD-FREE (PbF)


Surface Mount Mounting Type

Applications

  • Home appliances

  • Industrial automation

  • Power tools

  • Power transmission and distribution





产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
可编程: 未验证
驱动配置: 半桥
通道类型: 同步
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电源电压: 10V ~ 20V
逻辑低电平和高电平的电压电平: 0.8V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): 1.9A,2.3A
输入类型: 非反相
最大高压侧电压(自启动): 600 V
上升/下降时间(典型值): 40ns,20ns
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z