Infineon IPW65R080CFDFKSA1
N 通道700 V43.3A（Tc）4.5V @ 1.76mA391W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔
比较IPW65R080CFDFKSA1
MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
￥59.80
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Features
CoolMOS™ Series
Easy to design-in
Lower price compared to 600V CFD technology
Significant Qg reduction compared to 600V CFD technology
Tighter RDS(on) max to RDS(on) typ window
Limited voltage overshoot during hard commutation
Through Hole Mounting Type
Applications
IPW65R080CFDFKSA1 Applications
Telecom
Server
Solar
HID lamp ballast
LED lighting
运输
包装
相似产品
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产品属性
全选
型号系列: CoolMOS™
包装: 管件
部件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 43.3A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 80 毫欧 @ 17.6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 1.76mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 5030 pF @ 100 V
最大功率耗散: 391W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-1
封装/外壳: TO-247-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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