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IPTC014N10NM5ATMA1

Infineon IPTC014N10NM5ATMA1

N 通道100 V37A(Ta),365A(Tc)3.8V @ 280µA3.8W(Ta),375W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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IPTC014N10NM5ATMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
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¥58.50

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The IPT85 is Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 500, that includes Beige Color, they are designed to operate with a Rack Accessories Product.

The IPT84 is Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 400, that includes Rack Accessories Product.

Features

OptiMOS™ 5 Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
37A (Ta), 365A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.4mOhm @ 150A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8V @ 280µA Vgs(th) (Max) @ Id
211 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
16000 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.8W (Ta), 375W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™ 5
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss): 100 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 37A(Ta),365A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 6V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.4 毫欧 @ 150A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.8V @ 280µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 16000 pF @ 50 V
最大功率耗散: 3.8W(Ta),375W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商 设备封装: PG-HDSOP-16-2
包装 / 盒: 16-PowerSOP 模块
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z