所有分类
联系我们
中文
首页
所有分类
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
IPP051N15N5AKSA1
IPP051N15N5AKSA1

Infineon IPP051N15N5AKSA1

N 通道150 V120A（Tc）4.6V @ 264µA500mW（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔

比较
Infineon Technologies
IPP051N15N5AKSA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
IPP051N15N5AKSA1 数据表(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

￥2.78

价格更新：一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

The IPP050N06N is MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 manufactured by INFINEON. The IPP050N06N is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

IPP050NE7N3 G with EDA / CAD Models manufactured by INFINEON. The IPP050NE7N3 G is available in TO-220 Package, is part of the IC Chips.

Features

OptiMOS™ 5 Series


  • 100% avalanche tested

  • Extremely low on-resistance RDS (on) 

  • Low gate charge

  • 175??C operating temperature

  • Available in TO-220-3 package



Through Hole Mounting Type

Applications


  • High-frequency switching and synchronous rectification


相似产品

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

￥10.60比较

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223

￥3.28比较

IPN80R1K4P7

Infineon Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

￥4.32比较
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™ 5
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 8V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 5.1 毫欧 @ 60A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.6V @ 264µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 7800 pF @ 75 V
最大功率耗散: 500mW（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

热门零件号

查看全部

实时新闻

查看全部

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

热门产品

01 / 02
10

所有产品零件号 0 - Z