Infineon IPP023N10N5AKSA1
N 通道100 V120A（Tc）3.8V @ 270µA375W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔
比较IPP023N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
￥28.34
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
OptiMOS™ SeriesOptimized for FOMoss
Extremely low on-resistance RDS (on)
Low gate charge
175??C operating temperature
Available in TO-220-3 package
Applications
High-frequency switching and synchronous rectification
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 6V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 2.3 毫欧 @ 100A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.8V @ 270µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 15600 pF @ 50 V
最大功率耗散: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
热门产品
01 / 02
10
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO