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IPN50R3K0CE

Infineon IPN50R3K0CE

N 通道500 V2.6A(Tc)3.5V @ 30µA5W(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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IPN50R3K0CE
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.

Features

CoolMOS™ CE Series
Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
500 V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.6A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3Ohm @ 400mA, 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5V @ 30µA Vgs(th) (Max) @ Id
4.3 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
84 pF @ 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: CoolMOS™ CE
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 13V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3 欧姆 @ 400mA,13V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3.5V @ 30µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 84 pF @ 100 V
最大功率耗散: 5W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223
封装/外壳: TO-261-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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