Infineon IPG20N04S4-08
MOSFET（金属氧化物）2 N-通道（双）40V20A（Tc）7.6 毫欧 @ 17A，10V4V @ 30µA
比较IPG20N04S4-08
IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
￥8.28
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
OptiMOS™T2 SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
40V Drain to Source Voltage (Vdss)
20A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6mOhm @ 17A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 30µA Vgs(th) (Max) @ Id
36nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2940pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
65W (Tc) Power - Max
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™T2
包装: 散装
部件状态: 在售
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Tc）
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 7.6 毫欧 @ 17A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 30µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2940pF @ 25V
最大功率: 65W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-4
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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