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单 FET，MOSFET
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R380P6ATMA1

Infineon IPD60R380P6ATMA1

N 通道600 V10.6A（Tc）4.5V @ 320µA83W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPD60R380P6ATMA1 数据表(pdf)
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价格更新：一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The Infineon range of CoolMOS™E6 and P6 series MOSFETs. These highly efficient devices can be used in several applications including Power Factor Correction (PFC), lighting and consumer devices as well as solar, telecoms and servers.

Features

CoolMOS™ P6 Series


  • Increased MOSFET dv/dt ruggedness

  • Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Ross

  • Very high commutation ruggedness

  • Easy to use/drive

  • Pb-free plating, Halogen-free mold compound



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


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产品属性
全选
型号系列: CoolMOS™ P6
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.6A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 380 毫欧 @ 3.8A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4.5V @ 320µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 877 pF @ 100 V
最大功率耗散: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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