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IKW50N65F5FKSA1

Infineon IKW50N65F5FKSA1

650 V80 A490µJ(开),160µJ(关)-40°C ~ 175°C(TJ)TO-247-3

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IKW50N65F5FKSA1
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The IKW50N65F5FKSA1 is a High Speed IGBT in TRENCHSTOP™ 5 technology co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode. The TRENCHSTOP™ 5 IGBT technology redefines best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market's high efficiency demands of tomorrow. It features best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability.

Features

TrenchStop® Series


  • 650Vbreakdownvoltage

  • Low gate charge QG

  • IGBT co-packed with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

  • Maximum junction temperature 175°C

  • Qualified according to JEDEC for target applications



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


产品属性
全选
型号系列: TrenchStop®
包装: 管件
部件状态: 在售
最大集电极-发射极击穿电压: 650 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.1V @ 15V,50A
最大功率: 305 W
开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 120 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 21ns/175ns
测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 52 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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