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IKP20N60T

Infineon IKP20N60T

600 V41 A310µJ(开),460µJ(关)-40°C ~ 175°C(TJ)TO-220-3

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IKP20N60T
IKP20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

600 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Features

TrenchStop™ Series
Bulk Package
Trench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
41 A Current - Collector (Ic) (Max)
60 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.05V @ 15V, 20A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
166 W Power - Max
310µJ (on), 460µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
120 nC Gate Charge
18ns/199ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 20A, 12Ohm, 15V Test Condition
41 ns Reverse Recovery Time (trr)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: TrenchStop™
包装: 散装
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 41 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.05V @ 15V,20A
最大功率: 166 W
开关能量: 310µJ(开),460µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 120 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 18ns/199ns
测试条件: 400V,20A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 41 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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