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IKB15N60T

Infineon IKB15N60T

600 V26 A220µJ (on), 350µj (off)-40°C ~ 175°C(TJ)TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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IKB15N60T
IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The 600 V, 15 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Features

TRENCHSTOP™ Series
Bulk Package
Trench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
26 A Current - Collector (Ic) (Max)
45 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.05V @ 15V, 15A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
130 W Power - Max
220µJ (on), 350µj (off) Switching Energy
Standard Input Type
87 nC Gate Charge
17ns/188ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 15A, 15Ohm, 15V Test Condition
34 ns Reverse Recovery Time (trr)
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: TRENCHSTOP™
包装: 散装
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 26 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.05V @ 15V,15A
最大功率: 130 W
开关能量: 220µJ (on), 350µj (off)
输入类型: 标准
栅极电荷: 87 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 17ns/188ns
测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 34 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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