联系我们
中文
IDW40G120C5BFKSA1

Infineon IDW40G120C5BFKSA1

1 对共阴极1200 V

比较
IDW40G120C5BFKSA1
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥145.50

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

Infineon 1200V CoolSiC Generation 5 Schottky Diodes are offered with forward currents up to 40A for TO-247, 20A in TO-220 and 10A in DPAK. CoolSiC Generation 5 target solar inverters, UPS, 3P SMPS, energy storage and motor drives applications. Generation 5 reduces forward voltage and temperature dependency to a new level of system efficiency. An improved thermal performance increases system reliability compared to a silicon based solution with the possibility to increase output power in a given form factor. Combined with a Si HighSpeed 3 IGBT, they deliver 40% lower Si IGBT turn-on losses and reduced EMI.

Features

CoolSiC™+ Series
a peak voltage of 332μA
a reverse voltage peak of 332μA

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Infineon Technologies
IDW40G120C5BFKSA1 applications of rectifier diode array.

  • Rectifier for drives applications
  • Crowbar applications
  • Rectifiers for UBS
  • Battery chargers
  • Rectifiers in switch mode power supplies (SMPS)
  • Free wheeling diode in low voltage converters
  • General Rectification
产品属性
全选
型号系列: CoolSiC™+
包装: 管件
部件状态: 在售
二极管配置: 1 对共阴极
技术: SiC(Silicon Carbide)Schottky
最大直流反向电压: 1200 V
平均整流电流 (Io)(每个二极管): 55A(DC)
正向电流时的最大正向电压: 1.65 V @ 20 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA @ 1200 V
结点工作温度: -55°C ~ 175°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z