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IAUC60N04S6L045HATMA1

Infineon IAUC60N04S6L045HATMA1

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 个 N 通道(半桥)40V60A(Tj)4.5 毫欧 @ 30A,10V2V @ 13µA

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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

IASFST with pin details, more IASFST informations to contact Tech-supports team please.

IASM1450-1 with EDA / CAD Models manufactured by ZILOG. The IASM1450-1 is available in DIP Package, is part of the IC Chips.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
40V Drain to Source Voltage (Vdss)
60A (Tj) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5mOhm @ 30A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2V @ 13µA Vgs(th) (Max) @ Id
19nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1136pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
52W (Tc) Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 个 N 通道(半桥)
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A(Tj)
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 4.5 毫欧 @ 30A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2V @ 13µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1136pF @ 25V
最大功率: 52W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-57
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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