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FP35R12KT4BPSA1

Infineon FP35R12KT4BPSA1

沟槽型场截止1200 V25 A210 W-40°C ~ 150°C(TJ)

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FP35R12KT4BPSA1
LOW POWER ECONO
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

EconoPIM™ 2 1200 V, 35 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. Also avaiable with Thermal Interface Material or as variation with PressFIT mounting technology.

Features

EconoPIM™ 2 Series
Tray Package
Trench Field Stop IGBT Type
Three Phase Inverter Configuration
1200 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 A Current - Collector (Ic) (Max)
210 W Power - Max
2.25V @ 15V, 35A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1 mA Current - Collector Cutoff (Max)
2 nF @ 25 V Input Capacitance (Cies) @ Vce
Three Phase Bridge Rectifier Input
Yes NTC Thermistor
Chassis Mount Mounting Type
Module Package / Case
产品属性
全选
型号系列: EconoPIM™ 2
包装: 托盘
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 25 A
最大功率: 210 W
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.25V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-ECONO2-8
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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