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FP25R12W2T4B11BOMA1

Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1

沟槽型场截止1200 V39 A175 W-40°C ~ 150°C(TJ)

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FP25R12W2T4B11BOMA1
IGBT MOD 1200V 39A 175W
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

EasyPIM™ 2B 1200 V, 25 A reverse conducting PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC. Also available with Thermal Interface Material. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. They are available in Econo2 and Econo3 housing and also available with Solder- or PressFIT pins: FP25R12W2T4_B11

Features

Tray Package


  • High power density

  • Established Easy module concept

  • Integrated temperature sensor available

  • Low stray inductance module design

  • RoHS-compliant modules



Module Supplier Device Package

Applications


  • Motor control and drives

  • Residential aircon - motor-, system control and monitoring


产品属性
全选
包装: 托盘
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 39 A
最大功率: 175 W
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.25V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1.45 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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