联系我们
中文
FF600R12IP4BOSA1

Infineon FF600R12IP4BOSA1

沟槽型场截止1200 V600 A3350 W-40°C ~ 150°C(TJ)

比较
FF600R12IP4BOSA1
IGBT MOD 1200V 600A 3350W
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥3057.20

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

PrimePACK™ 2 1200 V, 600 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and soft switching chip.

Features

Tray Package


High surge circuit capability

High short circuit capability

 VCEsat with a positive temperature coefficient

High current density



Module Supplier Device Package

Applications


3-level-applications

Motor drives

Wind turbines


产品属性
全选
包装: 托盘
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 600 A
最大功率: 3350 W
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.05V @ 15V,600A
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 37 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z