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FF50R12RT4HOSA1

Infineon FF50R12RT4HOSA1

沟槽型场截止1200 V50 A285 W-40°C ~ 150°C(TJ)

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FF50R12RT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 50A 285W
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

34 mm 1200 V, 50 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode.

Features

Tray Package


  • Extended Operation Temperature Tvjop

  • Low Switching Losses

  • Low VcEsat

  • Tvjop= 150°C 

  • VcEsat with a positive Temperature Coefficient

  • Isolated Base Plate

  • Standard Housing



Module Supplier Device Package

Applications


  • High Power Converters

  • Motor Drives

  • UPS Systems


产品属性
全选
包装: 托盘
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 50 A
最大功率: 285 W
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.15V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 2.8 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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