Infineon FF200R06KE3HOSA1
沟槽型场截止600 V260 A680 W-40°C ~ 150°C（TJ）
比较FF200R06KE3HOSA1
IGBT MOD 600V 260A 680W
￥873.84
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
62 mm 600 V, 200 A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode.
Features
C SeriesEnergy saving
Convenient installation
Convenient maintenance
Stable heat dissipation
Applications
Rail transit
Smart grid
Aerospace
Electric vehicles
New energy equipment
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: C
包装: 托盘
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)（最大值）: 260 A
最大功率: 680 W
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 1.9V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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